Résumé:
Le MOSFET est aujourd’hui le transistor le plus utilisé en microélectronique.
Alors qu'il sert principalement pour la conception de circuits numériques, son faible coût
et ses performances en font un composant de plus en plus intéressant pour les applications
RF. Pour ces raisons, une nouvelle génération de composant semi-conducteur est apparue
sur la scène de l'amplification de puissance : le LDMOS.
Dans ce projet, notre but est de modéliser, dans le domaine des radiofréquences le
transistor LDMOS. Pour cela, nous avons utilisé la modélisation phénoménologique en se
basant su un schéma équivalent que nous avons choisi. Pour extraire les éléments de ce
demier, nous avons utilisé la méthode d'épluchage élaborée par G. Dambrine, et à l'aide
du simulateur ADS, nous avons comparé les résultats de la mesure avec ceux de la
simulation, nous avons obtenus un bon accord. L'extraction des éléments du modèle petit
signal est rapide et précise. Nous avons étudié la variation des éléments intrinsèques en
fonction de la polarisation, afin de comprendre les non linéarités du transistor. Pour
terminer, nous avons étudié l'influence des éléments extrinsèques sur les éléments
Intrinsèques pour étudier la précision du modèle développé.
