Modélisation et caractérisation des transistors LDMOS dans le domaine des RF à base de schéma équivalent.

Abstract

Le MOSFET est aujourd’hui le transistor le plus utilisé en microélectronique. Alors qu'il sert principalement pour la conception de circuits numériques, son faible coût et ses performances en font un composant de plus en plus intéressant pour les applications RF. Pour ces raisons, une nouvelle génération de composant semi-conducteur est apparue sur la scène de l'amplification de puissance : le LDMOS. Dans ce projet, notre but est de modéliser, dans le domaine des radiofréquences le transistor LDMOS. Pour cela, nous avons utilisé la modélisation phénoménologique en se basant su un schéma équivalent que nous avons choisi. Pour extraire les éléments de ce demier, nous avons utilisé la méthode d'épluchage élaborée par G. Dambrine, et à l'aide du simulateur ADS, nous avons comparé les résultats de la mesure avec ceux de la simulation, nous avons obtenus un bon accord. L'extraction des éléments du modèle petit signal est rapide et précise. Nous avons étudié la variation des éléments intrinsèques en fonction de la polarisation, afin de comprendre les non linéarités du transistor. Pour terminer, nous avons étudié l'influence des éléments extrinsèques sur les éléments Intrinsèques pour étudier la précision du modèle développé.